IBM bije grafenowe rekordy
8 kwietnia 2011, 12:14IBM pokazał najszybszy grafenowy tranzystor. Błękitny Gigant pobił tym samym swój własny rekord sprzed roku, kiedy to zaprezentowano tranzystor pracujący z prędkością 100 GHz. Najnowsze działo IBM-a jest taktowane zegarem o częstotliwości 155 GHz.
Połączyli memrystor z układem CMOS
16 września 2009, 16:10Naukowcy z laboratorium HP połączyli memrystor z tradycyjnym układem scalonym. Udowodnili w ten sposób, że nowy komponent może współpracować ze współczesną technologią, a to oznacza, iż wkrótce układy z memrystorami mogą trafić na rynek.
Chińska hybryda przyspiesza tranzystory
12 sierpnia 2013, 11:43Naukowcy z chińskiego Uniwersytetu Fudan opisali w magazynie Science technologię umożliwiającą przyspieszenie tranzystorów. Chińczycy wpadli na pomysł połączenia tranzysotrów MOSFET z tunelowymi tranzystorami polowymi (TFET). Taka hybryda ma zużywać mniej prądu, a przy tym pracować szybciej
Rewolucyjny hybrydowy układ pamięci
24 stycznia 2011, 11:59Uczeni stworzyli hybrydowe urządzenie, które może działać jak pamięć ulotna oraz nieulotna i być wykorzystywana w roli głównej pamięci komputera.
Zaskakujące zachowanie kwazicząstek w grafenowych supersieciach. Powstaną szybsze tranzystory?
1 grudnia 2020, 11:00Naukowcy z University of Manchester zauważyli, że w w grafenownych supersieciach znajdujących się pomiędzy dwoma warstwami azotku boru pojawia się nowa rodzina kwazicząstek. Odkrycie ma znaczenie dla badań nad fizyką materii skondensowanej i może prowadzić do stworzenia tranzystorów pracujących z wyższymi częstotliwościami.
Samoorganizujący się tranzystor organiczny
5 marca 2008, 17:54Naukowcy z National Institute of Standards and Technology (NIST), Penn State University i University of Kentucky opracowali technologię szybkiego i prostego wykorzystania organicznego półprzewodnika do tworzenia matryc wysoko wydajnych tranzystorów. Dzięki temu odkryciu w przyszłości mogą powstać duże, elastyczne układy elektroniczne.
Idealne dopełnienie grafenu
3 kwietnia 2012, 04:45Heksagonalny azotek boru (h-BN) może być idealnym dielektrykiem w kolejnych generacjach podzespołów elektronicznych. Charakteryzuje się on bowiem bardzo równomiernym przepływem elektronów.
Bliżej ekscytonowych chipów
28 września 2009, 12:27W Nature Photonics grupa naukowców z Uniwersytetu Kalifornijskiego w San Diego (UCSD) i Santa Barbara (UCSB) informuje o stworzeniu hybrydowego elektroniczno-fotonowego układu scalonego, który pracuje w temperaturze około 100 kelwinów.
Niewykrywalne sprzętowe trojany w procesorach
18 września 2013, 10:40Grupa amerykańskich i europejskich ekspertów opublikowała pracę badawczą, w której opisują, w jaki sposób układy scalone wykorzystywane np. przez wojsko mogą zostać na etapie produkcyjnym zmienione tak, by ułatwiały szpiegowanie czy włamanie do urządzeń i systemów korzystających z tych układów. Zmiany takie, przeprowadzone na poziomie tranzystorów, byłyby niewykrywalne
Molibdenit lepszy od krzemu i grafenu
1 lutego 2011, 12:11Od kilku lat ekscytujemy się możliwościami grafenu, który być może w niektórych zastosowaniach zastąpi krzem. Tymczasem grafenowi wyrósł właśnie bardzo groźny konkurent - molibdenit.
