Grafenowo-molibdenitowy układ pamięci
20 marca 2013, 17:19Szwajcarzy z École Polytechnique Fédérale de Lausanne (EPFL) połączyli dwa rewolucyjne materiały - grafen i molibdenit - w prototypowy układ pamięci flash. Uczeni z EPFL już przed dwoma laty zwrócili uwagę na niezwykle interesujące właściwości molibdenitu, a kilka miesięcy później zaprezentowali pierwszy układ scalony wykonany z tego materiału.
Powstał 100-milimetrowy plaster grafenowy
25 stycznia 2010, 13:16Naukowcy z Electro-Optics Center (EOC) Material Division na Pennsylvania State University stworzyli 100-milimetrowy plaster grafenowy. To niezwykle ważny krok w kierunku wykorzystania grafenu do budowy urządzeń elektronicznych.
German zamiast krzemu
11 grudnia 2014, 11:47Purdue University ma na swoim koncie ważne osiągnięcie w historii rozwoju półprzewodników. To właśnie naukowcy z tej uczelni dostarczyli w 1947 roku bardzo ważny element pierwszego tranzystora – półprzewodnik z oczyszczonego germanu. Teraz specjaliści z tej samej uczelni stworzyli pierwszy układ elektroniczny (CMOS), w którym krzem zastąpiono germanem.
Uzyskano działającą synapsę z nanorurek węglowych
22 kwietnia 2011, 10:10Inżynierowie z Uniwersytetu Południowej Kalifornii uzyskali funkcjonującą synapsę z węglowych nanorurek. Rozwiązanie będzie można wykorzystać w protezach mózgowych lub po spięciu wielu takich synaps, do stworzenia syntetycznego mózgu.
Bliżej grafenowej elektroniki
19 listopada 2008, 12:08Na Uniwersytecie Kalifornijskim w Los Angeles (UCLA) opracowano metodę pozyskiwania dużych płacht grafenu o niemal doskonałych właściwościach. Słowo "dużych" odnosi się oczywiście do skali nano, gdyż płachty te mają grubość 0,6 nanometra, a ich długość i szerokość wynoszą 20x40 mikrometrów.
Chiny gonią Zachód
27 grudnia 2012, 08:27Instytut Mikroelektroniki Chińskiej Akademii Nauk poinformował o stworzeniu rodzimego 22-nanometrowego tranzystora MOSFET z metalową bramką i materiałami o wysokiej stałej dielektrycznej. Chińczycy zapewniają, że urządzenie charakteryzuje się światowej klasy wydajnością.
Grafenowy tranzystor niemal jak CMOS
28 stycznia 2010, 12:35Specjaliści z IBM-a otworzyli pasmo wzbronione w tranzystorze polowym (FET) wykonanym z grafenu, pokonując tym samym jedną z ostatnich przeszkód na drodze do skomercjalizowania grafenowej elektroniki. Ich grafenowy FET, jak zapewniają, będzie w przyszłości mógł konkurować z tranzystorami CMOS.
Nadchodzi azotek galu
11 maja 2015, 12:46Kalifornijska firma Efficient Power Conversion jest pierwszą, która zaoferowała tranzystory mocy wykonane z azotku galu w cenie niższej niż tranzystory z krzemu. To pierwszy przypadek, gdy urządzenie ma wysoką wydajność i jest tańsze niż jego krzemowy odpowiednik. Azotek galu przejął pałeczkę - mówi Alex Lidow, prezes firmy.
Przełączanie gorącego nadprzewodnika
7 lipca 2011, 10:53Gorące nadprzewodniki można włączać i wyłączać w ciągu biliardowych części sekundy. Naukowcy z University of Oxford i Instytutu Maksa Plancka z Uniwersytetu w Hamburgu stworzyli ultraszybki przełącznik nadprzewodnikowy.
Memrystorowo-tranzystorowa hybryda
27 listopada 2008, 13:00Podczas Memristor and Memristor System Symposium, które odbyło się w Berkeley, zademonstrowano pierwszy w historii układ będący połączeniem memrystorów z tranzystorami.
